M29F400FT55N3F2 vs M29F400FT55N3E2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F400FT55N3F2 por Micron Technology y M29F400FT55N3E2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría EEPROM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,51 $4,15
Tipo de memoria NOR Flash (SLC) NOR Flash (Parallel)
Tamaño de memoria 4 Mbit —
Organización de memoria 256K x 16 —
Interfaz Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Tensión de alimentación 5 V 5 V (single supply)
Block Architecture Top boot block —
Encapsulado 44-SO (SOP-44) 44-SO (SOP-44)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) —
Compliance Suffix F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) —
Programming Voltage Single supply (no 12 V VPP required) —
Technology Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase —
Max Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles]
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: min operating temperature] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Density — 4 Mbit (512K x 8)
Boot Block Architecture — Top boot (FT variant)
Programming Supply — No 12 V VPP required (5.0 V programming)
Command Set — JEDEC standard compatible
Data Retention — [DATA_NEEDED: Data Retention]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: Active Current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Block Protection — Hardware block protection
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level]
Estado RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

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