M29W128GH70ZA3E vs M29W128GH70ZS3E Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29W128GH70ZA3E por Micron Technology y M29W128GH70ZS3E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron
M29W128GH70ZA3E ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29W128GH70ZA3E | M29W128GH70ZS3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,70 | $5,78 |
| Tipo de memoria | NOR Flash | Parallel NOR Flash (SLC) |
| Tamaño de memoria | 128 Mbit | — |
| Organización de memoria | 8M x 16 | 8M x16 (x8/x16 capable family) |
| Interfaz | Parallel | Parallel, Asynchronous |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Technology | SLC NOR | NOR Flash, SLC |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Encapsulado | 64-TBGA (10x13 mm) | 64-FBGA (11 x 13 mm), LBGA |
| Tensión de alimentación | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 2.7 V to 3.6 V |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GH suffix) | — |
| Program/Erase Voltage | [DATA_NEEDED: program/erase voltage] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| CFI Compliant | [DATA_NEEDED: CFI compliance] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 128 Mbit (16 MB) |
| Boot Block | — | Top Boot Block |
| Common Flash Interface | — | Yes |
| Block Protection | — | Hardware/Software block protection |
| Automotive Temperature Grade | — | Yes (-40C to +125C) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |