M29W320DB70N3E vs M29W320DB70N3F Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29W320DB70N3E por Micron Technology y M29W320DB70N3F por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29W320DB70N3E | M29W320DB70N3F |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Flash | Flash |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,95 | $1,30 |
| Tipo de memoria | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Organización de memoria | 2M x 16 | 2 M x 16 |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 3.0 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | 12 V |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulado | 48-TSOP I | 48-TSOP I, 12 x 20 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| Technology | — | Parallel NOR Flash |
| Bus Width | — | x8/x16 selectable |
| Block Organization | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (DB = bottom boot block) |
| Packaging Variant (TR) | — | Tape & Reel available (M29W320DB70N3F TR) |