MC34937APEK vs MC33887PEKR2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MC34937APEK por NXP Semiconductors y MC33887PEKR2 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MC33887PEKR2 MC33887PEKR2 - 5A H-Bridge DC Motor Driver, 5-28V | NXP

MC33887PEKR2 - 5A H-Bridge DC Motor Driver, 5-28V | NXP

MC33887PEKR2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MC34937APEK MC33887PEKR2
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría Motor Drivers Motor Drivers
Estado del ciclo de vida NRND Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,74 $5,05
Product Type 3-phase FET pre-driver (gate driver) —
Motor Type Brushless DC (BLDC) / 3-phase —
Topología Three half-bridge pre-drivers (3 high-side + 3 low-side) Monolithic H-Bridge with integrated MOSFETs and charge pump
Peak Gate Drive Current >1.5 A —
Supply Voltage Range (VCC) 6 V to 58 V —
Logic Interface SPI (with parallel PWM option) —
FET Protection Features Desaturation, VDS overcurrent, gate-source UV, programmable dead-time —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40C to +125C
Encapsulado 54-SOIC-EP (WSOIC-54, 300 mil, exposed pad) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology SMARTMOS mixed-signal HV-CMOS —
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 —
Peak Reflow Temperature 260 C (max 40 s) —
Terminal Finish Tin (e3, JESD-609) —
Estado RoHS Compliant —
Función — H-Bridge motor driver for brushed DC motors
Load Supply Voltage (VLOAD) — 5 V to 28 V
Logic Supply Voltage (VDD) — 3.0 V to 5.5 V
Continuous Output Current — 5.0 A
Peak Output Current — 8.0 A
Rds(on) (per FET, typ @ 25C) — 150 mOhm [DATA_NEEDED: exact value from datasheet]
Current Sense Output — Yes, ratiometric analog feedback
Sleep Mode Current — < 50 uA (typ) [DATA_NEEDED: exact datasheet value]
PWM Frequency Range — Up to 20 kHz [DATA_NEEDED: max PWM freq]
Encapsulado / Carcasa — 54-SOICW-EP (Power SOIC with exposed pad)
AEC-Q100 Qualification — Yes (automotive grade)
Lead-Free / RoHS — Yes (lead-free, RoHS compliant)

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