MMBT3904,215 vs MMBT3904-7-F Comparación
Comparación detallada lado a lado de MMBT3904,215 por Nexperia y MMBT3904-7-F por Diodes Incorporated. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc
MMBT3904-7-F ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MMBT3904,215 | MMBT3904-7-F |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | Diodes Incorporated |
| Categoría | Transistors | Transistors |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,02 | $0,04 |
| Tipo de transistor | NPN | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Encapsulado | SOT-23 (TO-236AB) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Tensión colector-emisor (Vceo) | 40 V | 40 V |
| Tensión colector-base (Vcbo) | 60 V | 40 V |
| Tensión emisor-base (Vebo) | 6 V | 6 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 200 mA | 200 mA |
| Power Dissipation (Pd) | 250 mW | — |
| Frecuencia de transición (ft) | 300 MHz (minimum) | 300 MHz minimum |
| DC Current Gain (hFE) | 100 to 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V) | 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V |
| Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)) | 200 mV (typical at IC = 10 mA) | 200 mV typical @ IC=10 mA |
| Noise Figure (NF) | 5 dB (maximum) | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -65 °C to +150 °C | -55 C to +150 C |
| Recuento de pines | 3 | — |
| PNP Complement | MMBT3906 | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Power Dissipation (PD) | — | 300 mW |
| Encapsulado / Carcasa | — | SOT-23-3 |
| Die Construction | — | Epitaxial Planar |
| Complementary PNP Type | — | MMBT3906-7-F |
| RoHS Compliance | — | Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) |