MPX2010GS vs MPX5050GP Comparación
Comparación detallada lado a lado de MPX2010GS por NXP Semiconductors y MPX5050GP por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MPX2010GS | MPX5050GP |
|---|---|---|
| Marca | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Categoría | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| Estado del ciclo de vida | Obsolete | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $15,95 | $7,85 |
| Pressure Type | Vented Gauge | Vented Gauge |
| Operating Pressure | 1.45 PSI (10 kPa) | — |
| Maximum Pressure | [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] | — |
| Tipo de salida | Wheatstone Bridge (analog voltage) | Analog Voltage (ratiometric) |
| Tensión de salida | 0 mV to 25 mV at 10 V excitation | — |
| Tensión de alimentación | 10 V to 16 V | 4.75 V to 5.25 V (5 V nominal) |
| Accuracy | +/-1% (per data brief) | 2.5% (per distributor data) |
| Port Size | Male - 0.19" (4.93 mm) Tube | — |
| Port Style | Barbed, single vented-gauge port | — |
| Encapsulado / Carcasa | 4-SIP Module | — |
| Tipo de montaje | Through-Hole | Through-Hole |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C (per MPX2010 series datasheet) | -40 C to +125 C |
| Technology | Piezoresistive (silicon diaphragm) | Piezoresistive MEMS, on-chip conditioned |
| Compensation | On-chip temperature compensated and calibrated | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status of this lot] | Compliant |
| Pressure Range | — | 0 kPa to 50 kPa (0 PSI to 7.25 PSI) |
| Maximum Overpressure | — | 200 kPa (per MPX5050 family) |
| Rango de tensión de salida | — | 0.2 V to 4.7 V |
| Corriente de alimentación | — | 7 mA nominal |
| Port Type | — | 0.19 inch (4.93 mm) Male Tube, Vented |
| Encapsulado | — | 6-SIP Module |
| Temperature Compensation | — | On-chip, calibrated |