MPXA4115A6U vs MPXA6115AC6U Comparación

Comparación detallada lado a lado de MPXA4115A6U por NXP Semiconductors y MPXA6115AC6U por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MPXA4115A6U MPXA4115A6U - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor | NXP

MPXA4115A6U - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor | NXP

MPXA4115A6U ✓ Activo
NXP Semiconductors
MPXA6115AC6U MPXA6115AC6U - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor | NXP

MPXA6115AC6U - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor | NXP

MPXA6115AC6U ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MPXA4115A6U MPXA6115AC6U
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría Pressure Sensors Pressure Sensors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $10,50 $9,95
Pressure Type Absolute Absolute
Pressure Range 15 kPa to 115 kPa (2.18 PSI to 16.68 PSI) —
Operating Pressure Max 400 kPa —
Tipo de salida Analog Voltage Analog, ratiometric
Rango de tensión de salida 0.2 V to 4.8 V 0.2 V to 4.7 V (at 5 V supply)
Sensitivity 46 mV/kPa typical 45.9 mV/kPa (typical)
Tensión de alimentación 4.7 V to 5.3 V (5.0 V typical) 4.75 V to 5.25 V
Corriente de alimentación [DATA_NEEDED: supply current typ/max] [DATA_NEEDED: supply current typical]
Accuracy ±1.5% (0C to 85C) ±1.5% (0°C to +85°C)
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40°C to +125°C
Compensated Temperature 0C to +85C —
Port Style Axial (axial-port) Single axial top port, 0.13" (3.17 mm) tube
Encapsulado / Carcasa 8-SMD Module —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Response Time [DATA_NEEDED: response time ms] 1.0 ms (typical)
Estado RoHS Compliant Compliant
Media Resistant Yes —
Operating Pressure Range — 15 kPa to 115 kPa (2.18 PSI to 16.68 PSI)
Maximum Over Pressure — [DATA_NEEDED: maximum over pressure rating]
Encapsulado — 8-SMD, Gull Wing (Case 1320-02, SOP-8)
Signal Conditioning — On-chip bipolar op-amp, temperature compensated
Element Type — Piezoresistive MEMS silicon

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