MRF8P26080HSR3 vs MRF7S38040HSR3 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRF8P26080HSR3 por NXP Semiconductors y MRF7S38040HSR3 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRF8P26080HSR3 MRF8P26080HSR3 - 14W, 2.6GHz W-CDMA/LTE RF Power MOSFET | NXP

MRF8P26080HSR3 - 14W, 2.6GHz W-CDMA/LTE RF Power MOSFET | NXP

MRF8P26080HSR3 ✓ Activo
NXP Semiconductors
MRF7S38040HSR3 MRF7S38040HSR3 - 8W 3.4-3.6GHz WiMAX RF Power MOSFET | NXP

MRF7S38040HSR3 - 8W 3.4-3.6GHz WiMAX RF Power MOSFET | NXP

MRF7S38040HSR3 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MRF8P26080HSR3 MRF7S38040HSR3
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $99,85 $15,95
Tipo de transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel Lateral MOSFET
Technology Gen8 LDMOS (Silicon, Lateral) —
Frequency Range 2500 MHz to 2700 MHz 3.4 GHz to 3.6 GHz
Average Output Power (P3dB) 14 W (W-CDMA, single-carrier) —
Peak Output Power (CW) 80 W —
Drain-Source Voltage (VDSS max) 65 V —
Operating Drain Voltage (VDD) 28 V nominal —
Test Mode Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA —
Application Class Class AB or Class C capable —
Modulation Formats W-CDMA, LTE, OFDM, multi-carrier —
Encapsulado NI-780S-4 (ceramic, flange-mount, air-cavity) —
Tipo de montaje Through-hole flange-mount with screw attachment Surface Mount (tape and reel)
Lead Finish Gold-plated (NiPdAu) —
Lead-Free / RoHS Compliant —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +150C (junction) —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Quiescent Drain Current (IDQ) — 450 mA
Output Power (Pout) — 8 W average (WiMAX OFDM)
Power Gain (Gp) — 14 dB typical
Eficiencia — [DATA_NEEDED: WiMAX OFDM drain efficiency %]
Encapsulado / Carcasa — NI-400S-2S (ceramic, surface-mount)
Application — WiMAX, WiBro, BWA, OFDM base-station amplifiers
Configuration — Single N-channel MOSFET
Operating Mode — Class AB / Class C amplifier
Estado RoHS — [DATA_NEEDED: confirm RoHS compliance]
Lead Free — [DATA_NEEDED: confirm lead-free]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: confirm MSL]
Datasheet Document — NXP datasheet MRF7S38040H.pdf (linked above)

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