MT25QU01GBBB8E12E-0AUT vs MT25QU01GBBB8E12-0AUT Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT25QU01GBBB8E12E-0AUT por Micron Technology y MT25QU01GBBB8E12-0AUT por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT25QU01GBBB8E12E-0AUT MT25QU01GBBB8E12E-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QU01GBBB8E12E-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QU01GBBB8E12E-0AUT ✓ Activo
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Comparación de especificaciones

Parámetro MT25QU01GBBB8E12E-0AUT MT25QU01GBBB8E12-0AUT
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,95 $7,10
Tipo de memoria NOR Flash, Serial (SPI) NOR Flash, Serial (SPI)
Density 1 Gbit (128 MB) 1 Gbit (128 MB)
Organización de memoria 128M x 8 x1 / x2 / x4 (I/O width)
Tensión de alimentación 1.8 V 1.8 V
Max Clock Frequency 133 MHz 133 MHz
Interfaz SPI, Dual SPI, Quad SPI (x1/x2/x4) SPI, Dual SPI, Quad SPI
Encapsulado 24-ball T-PBGA (6 x 8 mm) 24-T-PBGA (6x8 mm)
FBGA Code RW320 RW320
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount
Automotive Grade Yes (AUT suffix) —
Product Longevity Program No No
Marking Code RW320 —
Access Type Execute-in-place (XIP) capable —
Program/Erase Architecture Page program with 4 KB subsector / 64 KB sector erase —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Access Time — 6 ns
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Write Protection — Hardware write protection; Software write protection; Write enable latch
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

Hojas de datos y recursos

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