MT40A512M16JY-083E vs MT40A512M16LY-062E AAT:E Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16JY-083E por Micron Technology y MT40A512M16LY-062E AAT:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ Activo
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16JY-083E MT40A512M16LY-062E AAT:E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría DRAM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,85 $9,20
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (Automotive) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Organización de memoria 512M x 16 —
Clock Frequency 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) 1.6 GHz
Velocidad de datos 2400 MT/s (speed grade -083E) —
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
I/O Interface 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die internal adjustable generation —
Refresh Structure 8192-cycle refresh —
Refresh Window 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C —
Encapsulado 96-FBGA (8 x 14 mm) 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
ECCN EAR99 —
Sin halógenos Compliant —
Country of Origin China —
Tamaño de memoria — 8 Gbit (1 GB)
Memory Organization — 512M x 16
Interfaz — Parallel
Access Time — 19 ns
Tensión de alimentación — 1.2 V
Speed Grade — 062E
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Height — [DATA_NEEDED: package max height]
MSL Rating — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Ordering Code Suffix — AAT:E (temperature/package option per Micron code)
Estado RoHS — Compliant
Moisture Packaging — [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix]
Data Rate Class — DDR4-3200 (062E speed bin)

Hojas de datos y recursos

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