MT40A512M8RH-083E vs MT40A512M8RH-075E:B Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M8RH-083E por Micron Technology y MT40A512M8RH-075E:B por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ Activo
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-075E:B
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,30 $2,15
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organización de memoria 512M x 8 512M x 8
Industry Speed Grade DDR4-2400 —
Clock Rate 1.2 GHz —
Internal Banks 8 banks (2 groups of 4) —
Prefetch 8n-bit —
Refresh 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features)
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
I/O Structure 1.2 V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ On-die internal, adjustable generation —
Temperatura de funcionamiento 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)]
Encapsulado 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA
FBGA Code D9TGG —
Marking Code D9TGG —
Data Strobe Preamble Programmable —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] —
Velocidad de datos — 2666 MT/s (DDR4-2666)
Clock Frequency — 1333 MHz (1.33 GHz)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Tipo de interfaz — Parallel
Tensión de referencia — On-die internal adjustable VREFDQ generation
Tipo de montaje — Surface Mount
Speed Grade Suffix — -075E
Packaging Option Suffix — :B (ball map B designation per Mouser listing)

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