MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63CFR-PBL Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16RE-125:D por Micron Technology y H5TC4G63CFR-PBL por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,19 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35 V |
| Velocidad de datos | 1600 MT/s | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Latencia CAS | 11 | 11, 12, 13 |
| Encapsulado | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 4 | 8 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| Sin halógenos | — | Yes |