N25Q064A13ESEA0F vs N25Q256A13E12A0F Comparación

Comparación detallada lado a lado de N25Q064A13ESEA0F por Micron Technology y N25Q256A13E12A0F por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
N25Q064A13ESEA0F N25Q064A13ESEA0F - 64Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q064A13ESEA0F - 64Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q064A13ESEA0F ✓ Activo
Micron Technology
N25Q256A13E12A0F N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro N25Q064A13ESEA0F N25Q256A13E12A0F
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memoria NOR Flash - Serial SPI NOR Flash, Serial SPI
Tamaño de memoria 64 Mbit (8 MB) —
Interfaz SPI (1-bit / 2-bit / 4-bit) —
Max Clock Frequency 108 MHz —
Tensión de alimentación 3 V (2.7 V to 3.6 V class) 2.7 V to 3.6 V
Organización de memoria 64M x1 / 32M x2 / 16M x4 64M x 4 (Mouser listing); 32M x 8 per FindIC listing - see validation note
Access Time 7 ns 8 ns (per FindIC listing)
Encapsulado 8-SO Wide (SOP-8 W) 24-ball T-PBGA (6x8 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40C to +125C
XIP Mode Supported (execute-in-place) —
Program / Erase Suspend Supported —
Hardware / Software Reset Supported —
Packaging Tape & Reel (TR variant) Tape & Reel (TR suffix)
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Estado del ciclo de vida Active —
Density — 256 Mbit (32 MB)
Max SPI Clock Frequency — 108 MHz
I/O Modes — Single, Dual, Quad I/O (Multiple I/O Serial Flash)
Technology — SLC (Single-Level Cell)
Sector Erase Size — 4 KB
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention years]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: ICC standby current]

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