N25Q128A13E12A0F vs N25Q128A13EF8A0F Comparación

Comparación detallada lado a lado de N25Q128A13E12A0F por Micron Technology y N25Q128A13EF8A0F por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
N25Q128A13E12A0F N25Q128A13E12A0F - 128Mb SPI NOR Flash, 108 MHz | Micron

N25Q128A13E12A0F - 128Mb SPI NOR Flash, 108 MHz | Micron

N25Q128A13E12A0F ✓ Activo
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N25Q128A13EF8A0F N25Q128A13EF8A0F - 128Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

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Comparación de especificaciones

Parámetro N25Q128A13E12A0F N25Q128A13EF8A0F
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,52 $1,90
Tipo de memoria NOR Flash, Serial SPI NOR Flash, Serial SPI
Density 128 Mbit (16M x 8 bit) 128 Mbit (16 MB)
Tensión de alimentación 2.7 V to 3.6 V (3 V / 3.3 V class) 3V / 3.3V (2.7 V to 3.6 V)
Max Clock Frequency 108 MHz 108 MHz
Interfaz SPI, Dual SPI, Quad SPI SPI, Dual SPI, Quad SPI (XiP enabled)
Access Time 7 ns —
Word Size 8 bit —
Subsector Erase 4 KB (boot sectors) —
XiP Support Yes (execute-in-place) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado 24-ball TBGA (T-PBGA), 6x8 mm 8-VDFPN (MLP8, 8x6 mm)
Maximum Seated Height 1.2 mm —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (TR)
Qualification Automotive, AEC-Q100 (per distributor listing) —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status confirmation]
Organización de memoria — 16M x 8 (32M x 4 SLC mode per Mouser listing)
Erase Granularity — 4-Kbyte subsector erase
Access Time / Output Timing — 7 ns
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention years]
Original Manufacturer Lineage — Numonyx B.V. -> Micron Technology

Hojas de datos y recursos

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