NT5CB256M16CP-DI vs MT41K256M16HA-107AAT:E Comparación

Comparación detallada lado a lado de NT5CB256M16CP-DI por Nanya Technology y MT41K256M16HA-107AAT:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Activo
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro NT5CB256M16CP-DI MT41K256M16HA-107AAT:E
Marca Nanya Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,50 $5,95
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb —
Tensión de alimentación 1.35 V (DDR3L) 1.35V
Velocidad de datos 1600 Mbps/pin (max) 933 MHz (DDR3L-1866)
Encapsulado TFBGA-96 96-FBGA (9x14mm)
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Tamaño de memoria — 4Gbit (256M x 16)
Access Time — 20 ns
Interfaz — Parallel
Temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C (Tc)
Tipo de montaje — Surface Mount
Estado RoHS — Compliant
Latencia CAS — 13 (typical)
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh, self-refresh

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