NT5CC256M16ER-EK vs NT5CC256M16DN-FLNA Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16ER-EK por Nanya Technology y NT5CC256M16DN-FLNA por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16ER-EK | NT5CC256M16DN-FLNA |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $24,00 | $6,00 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | — |
| Velocidad de datos | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Encapsulado | TFBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Interfaz | Parallel | 16-bit I/O |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (1.283V-1.45V) |
| Backward Compatible Voltage | — | 1.5V ±0.075V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |