TLP183GB(GB-TPL.E vs TLP183(TPL Comparación

Comparación detallada lado a lado de TLP183GB(GB-TPL.E por Toshiba y TLP183(TPL por Toshiba. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Toshiba
TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(GB-TPL,E - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6

TLP183(GB-TPL,E - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6

TLP183GB(GB-TPL.E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(TPL
Marca Toshiba Toshiba
Categoría Surge Protectors Optocouplers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,13 $0,19
Product Type Phototransistor Optocoupler (Optoisolator) —
Tipo de salida DC, Phototransistor (single channel) NPN Phototransistor
Number of Channels 1 1
Input Type DC DC (GaAs Infrared LED)
Maximum Forward Current (IF) 50 mA —
Maximum Forward Voltage (VF) 1.4 V —
Tensión colector-emisor (Vceo) 80 V 80 V
Maximum Collector Current 50 mA —
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
CTR Rank GB (100% to 300% at IF=5 mA, VCE=5 V) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +110C -55 C to +125 C
Encapsulado 4-pin SO6 (6-SOP surface mount) 6-SO / SO6 (4 active pins)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Safety Standards UL, cUL, VDE, CQC certified (per Toshiba datasheet) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V
Forward Current (IF) Max — 50 mA
Forward Voltage (VF) Typ — 1.25 V at IF = 10 mA
Current Transfer Ratio (CTR) Min — 50 % at IF = 5 mA, VCE = 5 V
Rise/Fall Time (typ) — 4 us (ton/toff)
Nivel MSL — 1

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