VIPERGAN65 vs VIPERGAN50 Comparación
Comparación detallada lado a lado de VIPERGAN65 por STMicroelectronics y VIPERGAN50 por STMicroelectronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | VIPERGAN65 | VIPERGAN50 |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Categoría | Transistors | Power MOSFET Drivers |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,10 | $2,24 |
| Technology | GaN HEMT | GaN (Gallium Nitride) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) | [DATA_NEEDED: ID at 25C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C] | 150 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS range] | — |
| Maximum Switching Frequency | [DATA_NEEDED: fsw max] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Thermal Resistance (Junction-to-Case) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40C to +150C | — |
| Encapsulado | PQFN 8x8 mm | QFN 5x6 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Integrated Gate Driver | Yes | — |
| Protection Features | Overcurrent, Overtemperature, UVLO | — |
| Maximum Output Power | — | 50 W |
| Frecuencia de conmutación | — | Up to 1 MHz |
| Gate Driver | — | Integrated |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -40°C to +150°C |
| Protección contra sobrecorriente | — | Yes |
| Overtemperature Protection | — | Yes |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Nivel MSL | — | 3 |
| Lead-Free | — | Yes |