YZ48G16V-F9HPI-M vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparación
Comparación detallada lado a lado de YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion y MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | YZ48G16V-F9HPI-M | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| Marca | Loongtion | Micron Technology |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,60 | $8,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| Encapsulado | FBGA96 | 96-FBGA (8x14) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +85°C | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Interfaz | DDR4 | Parallel |
| Recuento de pines | 96 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |
| RoHS | — | Compliant |