1ED44175N01BXTSA1 vs 1ED44173N01BXTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED44175N01BXTSA1 par Infineon et 1ED44173N01BXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED44175N01BXTSA1 1ED44173N01BXTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,42
Fonction Low-side gate driver —
Number of Channels 1 1
Gate Type IGBT, MOSFET (single-channel) —
Configuration Non-inverting Non-Inverting
Output Current (Source/Sink) 2.6 A typical —
Supply Voltage Range Up to 25 V —
Logic Input Compatibility CMOS, LSTTL —
Over-Current Protection (OCP) Integrated (OCP pin) —
FAULT Output Yes (status reporting) —
Broche d'activation Yes Yes
Rise/Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay ns] < 100 ns typical
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Boîtier PG-SOT23-6-3 (6-lead) PG-SOT23-6-3 (6-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS (latch-up immune) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Type — Low-Side MOSFET Gate Driver
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 25 V
Output Current (Source) — 2.6 A typical
Output Current (Sink) — 2.6 A typical
Temps de montée — [DATA_NEEDED: rise time]
Temps de descente — [DATA_NEEDED: fall time]
Courant de repos — 0.4 mA typical
Over-Current Protection — Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold)
Fault Reporting — Yes (open-drain FAULT pin)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C

Fiches techniques et ressources

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