1EDN7136UXTSA1 vs 2EDN7434RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7136UXTSA1 par Infineon et 2EDN7434RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7136UXTSA1 2EDN7434RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,34
Fonction High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Nombre de sorties 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature]
Boîtier TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes (per Infineon product family convention) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — EiceDRIVER 2EDN
Driver Configuration — Dual-channel low-side
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Rated Output Current — 4 A
Output Resistance (Low) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron low]
Output Resistance (High) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron high]
Propagation Delay (Typ.) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL, non-inverting
Absolute Max Input Voltage — -12 V to +22 V
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VDD range]
Active Output Voltage Clamping — Yes

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