27C512-10 vs 27C512-15FA Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 27C512-10 par Texas Instruments et 27C512-15FA par ASI. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ Fin de vie

Comparaison des spécifications

Paramètre 27C512-10 27C512-15FA
Marque Texas Instruments ASI
Catégorie Memory ICs EEPROM
Statut du cycle de vie Fin de vie Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,70 $1,65
Taille de mémoire 512 Kbit 512 Kbit (64K x 8)
Organisation de la mémoire 64K x 8 65,536 x 8 bit
Type de mémoire OTP EPROM (CMOS) CMOS UV EPROM (UVPROM)
Access Time (Speed Grade -10) 100 ns —
Supply Voltage (VCC) +5 V with +/-10% tolerance —
Programming Voltage (VPP) +12.5 V —
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Mode Totally static operation —
Interface Parallel, TTL compatible —
Address Lines 15 (A0-A14) —
Data Lines 8 (Q0-Q7), tri-state outputs —
Control Signals /E (chip enable), /G (output enable) —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout —
Boîtier 28-pin DIP CDIP-28 (ceramic DIP, 0.600 in / 15.24 mm, UV window)
Type de montage Through Hole Through Hole
Erase Method One-Time Programmable (not erasable) Ultraviolet light (quartz window)
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Statut RoHS unknown —
Access Time — 150 ns
Tension d'alimentation — 5 V (typical operating)
Number of Terminals — 28
Technology — CMOS
Temperature Grade — Commercial
Programming Method — Standard EPROM programmer (elevated VPP)
Type d'interface — Parallel
Lead Free Status / RoHS Status — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Fiches techniques et ressources

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