27C512-20 vs 27C512-25 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 27C512-20 par Fujitsu et 27C512-25 par Microchip Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Microchip Technology
27C512-25 27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre 27C512-20 27C512-25
Marque Fujitsu Microchip Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,10 $3,20
Type de mémoire UV EPROM CMOS EPROM (UV / OTP)
Technology CMOS CMOS floating gate
Density 512 Kbit (524,288 bits) —
Organisation de la mémoire 64K x 8 —
Maximum Access Time 200 ns 250 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Outputs 3-state —
Operation Asynchronous —
Boîtier CQCC32 / LCC32 (ceramic, UV window) DIP-28
Type de montage Surface Mount Through Hole
Erase Method Ultraviolet light UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant)
Interface Parallel —
Word Size 8 bit —
Address Count 65,536 words —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Programming Voltage (VPP) [DATA_NEEDED: VPP voltage] —
Memory Organization — 64K x 8 (524,288 bits)
Supply Voltage (Read Mode) — 5 V +/- 10%
Standby Current (CMOS) — 20 uA typical
Operating Mode — Asynchronous
Type de sortie — 3-state, common I/O
Pinout Standard — JEDEC-approved 28-pin
Programming Method — High-voltage EPROM programming (Flashrite type)
Access Time Guarantee — Any byte in less than 250 ns
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Fiches techniques et ressources

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