2EDR8258XXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDR8258XXUMA1 par Infineon et 1ED3142MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDR8258XXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $1,32
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Coreless transformer (galvanic)
Number of Channels 1 1
Nombre de sorties 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (separate source/sink)
Peak Source Current 5 A —
Peak Sink Current 9 A —
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C —
Boîtier PG-DSO-14 (14-pin) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection —
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Fiches techniques et ressources

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