2N7002-7-F vs BSS138NH6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002-7-F par Diodes Incorporated et BSS138NH6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2N7002-7-F BSS138NH6327XTSA2
Marque Diodes Incorporated Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,08 $0,15
Type de transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS max) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 115 mA —
Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) 105 mA to 210 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 370 mW —
On-Resistance RDS(on) 7.5 ohm to 13.5 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Boîtier SOT-23-3 (TO-236) PG-SOT-23 (3-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range] [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge typical] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Statut RoHS Compliant —
Terminal Finish Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Trench MOSFET —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Sans halogène — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]
Packaging — Tape and Reel

Fiches techniques et ressources

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