74CB3Q3257BQX vs SN74CBTLV3257PWR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 74CB3Q3257BQX par Nexperia et SN74CBTLV3257PWR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
SN74CBTLV3257PWR SN74CBTLV3257PWR - 4-Bit 2:1 FET Mux 5Ω | TI

SN74CBTLV3257PWR - 4-Bit 2:1 FET Mux 5Ω | TI

SN74CBTLV3257PWR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 74CB3Q3257BQX SN74CBTLV3257PWR
Marque Nexperia Texas Instruments
Catégorie Logic ICs Logic ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,47 $0,27
Fonction FET bus switch / multiplexer-demultiplexer 4-Bit 1-of-2 FET Multiplexer/Demultiplexer
Configuration 4 x 2:1 (SPDT), 4 channels —
On-Resistance (Ron) 4 ohm typical —
Ron Flatness Improved (charge-pump biased) —
Bandwidth [DATA_NEEDED: bandwidth MHz] —
Supply Voltage (VCC) 2.3 V to 3.6 V —
Signal Pass Voltage Up to 5 V (when VCC = 3.3 V) —
Input Type CMOS control, TTL-compatible threshold —
Select Input (S) 1 (shared across 4 channels) —
Output Enable (OE) 1, active-HIGH disables all channels —
Ioff / Partial Power Down Supported —
Température de fonctionnement -40 C to +85 C -40C to +85C
Boîtier 16-DHVQFN (2.5 x 3.5 mm), SOT763 16-TSSOP (PW), 5 mm x 6.4 mm
ESD Protection [DATA_NEEDED: ESD rating kV] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Canaux — 4 x 2:1 (SPDT)
ON-State Resistance — 5 ohm (typical)
Supply Voltage Range — 2.3 V to 3.6 V
I/O Voltage Tolerance — 5 V (over-voltage tolerant)
Propagation Delay — 0.25 ns (typical)
Partial Power-Down Mode — Yes (I/Os high-impedance at VCC = 0 V)
Output Enable — Yes (OE, active-high)
Select Input — Yes (S pin)
Architecture — Pass-gate FET, bidirectional
Package Pitch — 0.65 mm
Type de montage — Surface Mount
Statut du cycle de vie — Active

Fiches techniques et ressources

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