AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4A-62BIN par Alliance Memory et AS4C512M16D4A-62BCN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Actif
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AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BCN
Marque Alliance Memory Alliance Memory
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $7,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit 8 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Clock Rate 1600 MHz —
Débit de données 3200 Mbps per pin 1600 MHz (3200 Mbps)
Tension d'alimentation 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.2 V
Température de fonctionnement -40°C to +95°C 0°C to 95°C
Boîtier 96-FBGA (7.5x13mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Interface POD (Pseudo Open Drain) POD (Pseudo Open Drain)
Latence CAS Programmable (e.g., 22 cycles) 18 ns
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto-refresh and self-refresh
RoHS Compliant —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
JEDEC Standard — Compliant
On-Die Termination — Yes
Statut RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Fiches techniques et ressources

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