BSC014N06NSATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N06NSATMA1 par Infineon et BSC039N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC014N06NSATMA1 | BSC039N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,89 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/- 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 30 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | 1.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.45 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 156 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (PD) | — | 69 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |