BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC018N04LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014NE2LSIATMA1 par Infineon et BSC018N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014NE2LSIATMA1 BSC018N04LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,52
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 74 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 30 A
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 125 W
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C — 2.5 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 1.8 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +150°C (TJ)
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
JEDEC Qualification — Yes (qualified per JEDEC for target applications)

Fiches techniques et ressources

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