BSC015NE2LS5IATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC015NE2LS5IATMA1 par Infineon et BSC052N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC015NE2LS5IATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,69 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.5 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 50 W —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C

Fiches techniques et ressources

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