BSC015NE2LS5IATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC015NE2LS5IATMA1 par Infineon et BSZ011NE2LS5IATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC015NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,69 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.5 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 50 W —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 (Trench)
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis