BSC018N04LSGATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC018N04LSGATMA1 par Infineon et BSC014N04LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC018N04LSGATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 30 A —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 125 W —
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C 2.5 W —
RDS(on) Max @ VGS=10 V 1.8 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) -55C to +175C
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
JEDEC Qualification Yes (qualified per JEDEC for target applications) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Niveau MSL — 1 (unlimited)

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