BSC019N04LSTATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC019N04LSTATMA1 par Infineon et BSC014NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC019N04LSTATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,21 $0,48
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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