BSC019N04NSGATMA1 vs BSC050NE2LSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC019N04NSGATMA1 par Infineon et BSC050NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC019N04NSGATMA1 BSC050NE2LSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,36
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (trench) OptiMOS 25V (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mΩ —
RDS(on) typ at VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 125 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C
Boîtier PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 25 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 58 A
Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C — 39 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5 mOhm
R_DS(on) typical at V_GS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 28 W

Fiches techniques et ressources

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