BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC019N08NS5ATMA1 par Infineon et BSC074N15NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC019N08NS5ATMA1 | BSC074N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,78 | $1,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | OptiMOS™ 5 trench |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 237 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.0 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 214 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C | [DATA_NEEDED: TJ min/max] |
| Boîtier | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 114 A |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 214 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.4 mΩ |
| Body Diode | — | Integrated |