BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC023N08NS5SCATMA1 par Infineon et BSC052N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC023N08NS5SCATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C -55C to +150C
Boîtier PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Niveau MSL — 1 (unlimited)

Fiches techniques et ressources

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