BSC030N03MSGATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC030N03MSGATMA1 par Infineon et BSC0993NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC030N03MSGATMA1 BSC0993NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,43 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3M —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25°C 69 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) PG-TISON-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) 4.5V / 10V —
Status Active —
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Fiches techniques et ressources

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