BSC034N06NSATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC034N06NSATMA1 par Infineon et BSC066N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC034N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,49
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 256 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] 1.7 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] 26 nC (typ)
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 60 V trench-gate
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +150°C

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis