BSC036NE7NS3GATMA1 vs ISC009N06LM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC036NE7NS3GATMA1 par Infineon et ISC009N06LM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC036NE7NS3GATMA1 | ISC009N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $2,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 2.6 V | — |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | 45 nC | — |
| Rise Time (tr typ) | 13 ns | — |
| Fall Time (tf typ) | 11 ns | — |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | 156 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Technology | — | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 41 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 348 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 214 W |