BSC040N08NS5ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC040N08NS5ATMA1 par Infineon et BSC052N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC040N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,15 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC040N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) 121 A —
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 4 mOhm —
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 104 W —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C -55C to +150C
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1 (unlimited)
Primary Application Synchronous rectification in telecom and server power supplies —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W

Fiches techniques et ressources

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