BSC050NE2LSATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC050NE2LSATMA1 par Infineon et BSC010NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC050NE2LSATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,36 $0,92
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 58 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C 39 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5 mOhm —
R_DS(on) typical at V_GS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 28 W —
Technology OptiMOS 25V (trench) OptiMOS (Trench)
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C (TJ)
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series / Family — OptiMOS 25V
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Nombre de broches — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Fiches techniques et ressources

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