BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC052N08NS5ATMA1 par Infineon et BSC023N08NS5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC052N08NS5ATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C -55 °C to +175 °C
Boîtier PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W

Fiches techniques et ressources

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