BSC054N04NSGATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC054N04NSGATMA1 par Infineon et IPB020NE7N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC054N04NSGATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $2,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC054N04NSGATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 81 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation at Tc=25C 57 W —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +175C (junction)
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Lead-Free Reflow Yes —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
On-State Resistance RDS(on) — 2.0 mΩ typical (per part number code)
Configuration — Single
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per OptiMOS 3 family datasheet)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis