BSC059N04LSGATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC059N04LSGATMA1 par Infineon et ISC058N04NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC059N04LSGATMA1 ISC058N04NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,60
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 73 A 63 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 16 A 17 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mOhm —
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.0 V (typ) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +175C
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
Channel Type N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 40V Normal Level
Type de transistor — N-Channel MOSFET
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A — 5.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.4 V
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 42 W
RoHS Compliance — RoHS Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL per JEDEC J-STD-020
Gate Drive Level — Normal Level (10V VGS recommended)

Fiches techniques et ressources

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