BSC066N06NSATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC066N06NSATMA1 par Infineon et BSC0911NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC066N06NSATMA1 BSC0911NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,46
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A 30 A
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate OptiMOS trench MOSFET
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]

Fiches techniques et ressources

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