BSC070N10NS5ATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC070N10NS5ATMA1 par Infineon et IPB024N10N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC070N10NS5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $1,86
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Sans halogène — Yes (per Infineon product family policy)

Fiches techniques et ressources

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