BSC070N10NS5ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC070N10NS5ATMA1 par Infineon et IPT015N10NF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC070N10NS5ATMA1 IPT015N10NF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $3,10
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS trench, N-channel enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
Énergie d'avalanche à impulsion unique — [DATA_NEEDED: EAS value]

Fiches techniques et ressources

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