BSC0906NSATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0906NSATMA1 par Infineon et BSC052N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0906NSATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,52
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 63 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS OptiMOS 5
RDS(on) max (typical reference) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction, typical) —
Nombre de broches 8 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Niveau MSL — 1 (unlimited)

Fiches techniques et ressources

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