BSC0911NDATMA1 vs BSC011N03LSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0911NDATMA1 par Infineon et BSC011N03LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0911NDATMA1 BSC011N03LSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A 100 A (TC)
Power Dissipation (PD) 1 W —
Boîtier PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET —
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Product Series — OptiMOS 30V
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 37 A
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.1 mOhm (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 96 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C

Fiches techniques et ressources

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