BSC0911NDATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0911NDATMA1 par Infineon et ISC011N06LM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0911NDATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A —
Power Dissipation (PD) 1 W —
Boîtier PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 5
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg value]
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Nombre de broches — 8
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]

Fiches techniques et ressources

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